| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，具体而言，公开了一种具有纳米线形成的FET沟道和通过从纳米线体径向外延形成的掺杂的源极和漏极区域的FET结构。讨论了顶选通和底选通的纳米线FET结构。所述源极和漏极制造可以使用选择性或者非选择性外延。 | ||
| 申请公布号 | CN101145573A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710147732.3 | 申请日期 | 2007.08.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | G·M·科昂;赵泽安;J·A·奥特;M·J·鲁克斯;P·M·所罗门 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管(FET)包括：半导体纳米线沟道；栅极，用于控制所述纳米线沟道中的电流；以及源极区域和漏极区域，邻接所述栅极，其中所述源极和漏极区域包括掺杂原子，并且从所述半导体纳米线沟道沿径向取向延展。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||