| 摘要 |
본 발명의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 챔버, 더 구체적으로, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 가열식 지지 페데스탈(heated support pedestal)에 관한 것이다. 일 실시예에서, 페데스탈은, 기판을 수용하기 위한 지지 표면을 포함하는 기판 지지부, 기판 지지부 내에 캡슐화된(encapsulated) 가열 엘리먼트, 및 제 1 단부와 제 2 단부를 갖는 제 1 중공 샤프트(hollow shaft)를 포함하며, 제 1 단부는 기판 지지부에 고정된다. 기판 지지부 및 제 1 중공 샤프트는 세라믹 재료로 만들어지고, 제 1 중공 샤프트는 약 50mm 내지 100mm의 길이를 갖는다. 페데스탈은, 제 1 중공 샤프트의 제 2 단부에 커플링된 제 2 중공 샤프트를 더 포함한다. 제 2 중공 샤프트는 제 1 중공 샤프트의 길이보다 더 긴 길이를 갖는다. |
