| 发明名称 | 制作阻挡层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成钛/氮化钛(Ti/TiN)阻挡层的方法，首先提供一半导体衬底，且半导体衬底上包括至少一导电层，接着进行一化学汽相沉积(CVD)工艺，于导电层上形成一Ti/TiN阻挡层，随后进行一检测程序。若检测出Ti/TiN阻挡层中包括微粒，则进行一重作工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN100367450C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200410031228.3 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈菁华;郑意中 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种形成阻挡层的方法，包括：步骤a，提供一半导体衬底，且该半导体衬底上至少包括一插塞孔；步骤b，进行一化学汽相沉积工艺，于该半导体衬底表面以及该插塞孔内壁表面上形成一钛/氮化钛薄膜作为该阻挡层；步骤c，进行一检测程序，其中若检测出该阻挡层中包括微粒，则进行步骤d；以及步骤d，进行一重作工艺，包括：进行一蚀刻工艺，去除该阻挡层；利用一刷洗机刷洗该半导体衬底，以去除微粒；利用一清洗溶液清洗该半导体衬底表面；以及进行另一化学汽相沉积工艺，以于该插塞孔内形成另一钛/氮化钛薄膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||