| 发明名称 | 分栅式场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种CMP兼容的分栅式场效应晶体管装置。该装置包括分栅式结构，其具有沟槽、栅电极和源电极。第一多晶硅层被设置在该沟槽内，并被连接到栅电极上。第二多晶硅层被连接到源电极上，其中，该第一多晶硅层和第二多晶硅层是独立的。 | ||
| 申请公布号 | CN105655390A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201610044800.2 | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 维西埃-硅化物公司 | 发明人 | K.特里尔;G.杨;C.帕克 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 刘文洁 |
| 主权项 | 一种CMP兼容的分栅式场效应晶体管装置，包括：分栅式结构，具有沟槽、栅电极和源电极；源极接触点，其连接所述源电极；第一多晶硅层，被设置在所述沟槽之内，并且连接到所述源电极；第二多晶硅层，被设置在所述沟槽之内，连接到所述栅电极；栅极接触点，其连接所述第二多晶硅层，其中，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层是独立的，并且其中，所述沟槽里面的氧化物的顶部、有源区体的表面、所述源极接触点和所述栅极接触点是共面的；以及设置在所述分栅式结构上的金属层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||