- REFERENCE ARCHITECTURE IN A CROSS-POINT MEMORY

摘要

본 개시내용은 크로스-포인트 메모리에서 참조 및 감지 아키텍처와 관련된다. 장치는 메모리 액세스 동작을 위한 타겟 메모리 셀을 선택하도록 구성된 메모리 제어기를 포함할 수 있다. 메모리 제어기는 타겟 메모리 셀과 연관되는 글로벌 워드 라인(GWL) 및 로컬 WL(LWL)을 선택하도록 구성된 WL 스위치 회로; 타겟 메모리 셀과 연관되는 글로벌 비트 라인(GBL) 및 로컬 BL(LBL)을 선택하도록 구성된 BL 스위치 회로; 및 제1 감지 회로 커패시턴스 및 제2 감지 회로 커패시턴스를 포함하는 감지 회로를 포함하고, 감지 회로는 선택된 GWL, LWL 및 제1 감지 회로 커패시턴스를 WL 바이어스 전압(WLVDM)으로 미리 충전하고, 선택된 GWL 상의 전하 및 제1 감지 회로 커패시턴스 상의 전하를 이용하여 기준 전압(V)을 생성하고, V및 검출된 메모리 셀 전압(V)에 적어도 부분적으로 기초하여 타겟 메모리 셀의 상태를 결정하도록 구성된다.