鳍型场效应晶体管结构

摘要

提供了一种鳍型场效应晶体管(fin FET)，其应用了负字线方案。鳍型FET的栅电极应用了掺有n+杂质的电极，并且不执行用于控制阈值电压的沟道掺杂，或者以低浓度执行沟道掺杂，由此显著改善了鳍型FET的特性。半导体衬底以第一导电类型形成，第一导电类型的鳍型有源区从所述半导体衬底的上表面突出并连接到所述半导体衬底。绝缘层形成在所述半导体衬底上，并且栅极绝缘层形成在所述鳍型有源区的上部和侧壁。栅电极形成在所述绝缘层和所述栅极绝缘层上。源极和漏极形成在所述栅电极两侧的鳍型有源区中。

主权项

1. 一种鳍型场效应晶体管结构，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的鳍型有源区，所述鳍型有源区从所述半导体衬底的上表面突出并且连接到所述半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的绝缘层；形成在所述鳍型有源区的上部和侧壁的栅极绝缘层；设置在所述绝缘层和所述栅极绝缘层上的栅电极，其构造为接收开启状态下的第一电压和关断状态下的第二电压；形成在所述栅电极的两侧、所述鳍型有源区中的源极区和漏极区；以及电压控制器，其构造为当起动字线选择信号时产生并提供所述第一电压从而开启所述鳍型场效应晶体管的沟道，当截止所述字线选择信号时产生并提供所述第二电压从而将所述鳍型场效应晶体管的沟道维持在关断状态，其中所述第二电压是负偏压。