发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括:半导体基板;隧穿层,其在半导体基板的第一表面上;第一导电类型半导体区域,其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质;第二导电类型半导体区域,其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质;第一钝化膜,其在第一导电类型半导体区域上;第一电极,其在第一钝化膜上形成,并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域;第二钝化膜,其在第二导电类型半导体区域上;以及第二电极,其在第二钝化膜上形成,并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。 |
申请公布号 |
CN105655427A |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201510892086.8 |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
LG电子株式会社 |
发明人 |
河廷珉;金圣辰;郑柱和;安俊勇;崔亨旭;张元宰;金在声 |
分类号 |
H01L31/04(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2014.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;刘久亮 |
主权项 |
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;隧穿层,所述隧穿层在所述半导体基板的第一表面上;第一导电类型半导体区域,所述第一导电类型半导体区域在所述隧穿层上,并且包含第一导电类型的杂质;第二导电类型半导体区域,所述第二导电类型半导体区域在所述半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上,并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质;第一钝化膜,所述第一钝化膜在所述第一导电类型半导体区域上;第一电极,所述第一电极在所述第一钝化膜上形成,并且穿过在所述第一钝化膜中形成的开口连接到所述第一导电类型半导体区域;第二钝化膜,所述第二钝化膜在所述第二导电类型半导体区域上;以及第二电极,所述第二电极在所述第二钝化膜上形成,并且穿过在所述第二钝化膜中形成的开口连接到所述第二导电类型半导体区域。 |
地址 |
韩国首尔 |