发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备,在玻璃衬底上形成钼膜,在其上形成氧化钼膜,在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜,并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件,然后将其元件从玻璃衬底剥离。 |
申请公布号 |
CN103456686B |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201310052224.2 |
申请日期 |
2008.02.02 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
神保安弘;伊佐敏行;本田达也 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
屠长存 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成钼膜;在所述钼膜上形成氧化钼膜;在所述氧化钼膜上形成非金属无机膜;在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜作为所述半导体装置的支撑构件;在所述有机化合物膜上形成无机绝缘膜;在所述无机绝缘膜上形成第一电极;在所述第一电极上形成发光层;在所述发光层上形成第二电极;在所述第二电极上贴合挠性衬底;以及从所述衬底剥离包括所述非金属无机膜、所述有机化合物膜、所述第一电极、所述发光层、所述第二电极和所述挠性衬底的叠层体。 |
地址 |
日本神奈川 |