| 发明名称 | 一种半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底之上的介质层；位于所述介质层之上的高k材料层；位于所述高k材料层之上的金属栅层；以及位于所述金属栅层之上的高功函数层，其中，所述高功函数层所用材料的功函数大于所述金属栅层所用材料的功函数。相对于现有技术中仅有金属栅层的半导体结构来说，本发明实施例提供的半导体结构中金属栅电极的功函数有明显增大，相应地，本发明实施例提供的半导体结构的阈值电压相对于现有技术中仅有金属栅层的半导体结构的阈值电压能够明显降低。 | ||
| 申请公布号 | CN103681802B | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201210348374.3 | 申请日期 | 2012.09.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底之上的介质层；位于所述介质层之上的高k材料层；位于所述高k材料层之上的金属栅层；以及位于所述金属栅层之上的高功函数层，其中，所述高功函数层所用材料的功函数大于所述金属栅层所用材料的功函数；其中，所述金属栅层的厚度为1至5nm；所述高功函数层的厚度为2至15nm。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||