发明名称 用于一存储器元件产生一低级错误更正码的控制器及其方法
摘要 本发明提供一种用于一存储器元件产生一低级错误更正码的控制器及其方法。该存储器元件仅支持利用低级ECC技术的闪存,例如SLC(single-level cell;单电平储存格)闪存。借助一具有一ECC引擎的控制器,该存储器元件可在从利用高级ECC技术的闪存(例如MLC(multi-level cell;多电平储存格)读取数据时,直接为自身产生一正确的ECC。借此,该存储器元件亦可支持利用高级ECC技术的闪存,并缩短数据读取时间。
申请公布号 CN101388256A 申请公布日期 2009.03.18
申请号 CN200810127375.9 申请日期 2008.06.27
申请人 慧荣科技股份有限公司 发明人 许胜一
分类号 G11C29/44(2006.01)I 主分类号 G11C29/44(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 任永武
主权项 1. 一种用于一存储器元件产生一低级错误更正码的方法,该方法包含下列步骤:由该存储器元件接收一数据,其中该数据包含一主要数据、一备用数据及一高级错误更正码;根据该高级错误更正码,利用一译码算法侦测该主要数据及该备用数据的多个错误地址;根据这些多个错误地址,产生一更新讯息;以及根据该更新讯息,产生该低级错误更正码。
地址 台湾省新竹县竹北市台元街36号8楼之1