发明名称 |
一种制备高含量霍山石斛多糖的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制备高含量霍山石斛多糖的方法,具体的说是利用快速繁殖技术进行繁殖,再通过不同的植物生长调节剂的调节作用下,使得霍山石斛快速生长,在短时间内达到多糖含量最高值的一种方法。包括以下步骤:(1)选择霍山石斛原球茎做外植体,经前处理,于无菌接种室中接种培养,再诱导培养。(2)继代生根培养,形成单株(3)形成单株后,在植株生长的不同阶段添加不同的生长调节剂,使得植株快速生长,达到预期效果。所述方法能够大幅度缩短霍山石斛的细胞培养及植株成长周期,能在短时间内生长到多糖含量最高值,能大大提高霍山石斛多糖的产率,且工艺比较简单、稳定,环境友好,适合工业化生产。 |
申请公布号 |
CN106172003A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610611379.9 |
申请日期 |
2016.07.30 |
申请人 |
安徽斛生记生物科技有限公司 |
发明人 |
韩冬 |
分类号 |
A01H4/00(2006.01)I;A01G7/06(2006.01)I;C08B37/00(2006.01)I |
主分类号 |
A01H4/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制备高含量霍山石斛多糖的方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)选择霍山石斛原球茎做外植体,经前处理,于无菌接种室中接种培养,再诱导增殖培养;(2)继代生根培养,形成单株;(3)形成单株后,在植株生长的不同阶段添加不同的生长调节剂,使得植株快速生长,达到预期效果。 |
地址 |
230000 安徽省六安市霍山县黑石渡镇黑石渡社区钓鱼台 |