发明名称 |
具有提升的非本征基极的双极晶体管 |
摘要 |
本发明公开了一种用于形成与互补金氧半(CMOS)电路集成的、具有基极(190)、射极(350)和埋入集极(105)上方的提升非本征基极(310)。提供一种具有CMOS和双极区的中间半导体结构。在双极区内提供本征基极层。跨越CMOS区与双极区形成基极氧化物,并在CMOS区与双极区上沉积牺牲射极叠层硅层。施加光致抗蚀剂来保护双极区,蚀刻该结构,仅从CMOS区去除牺牲层,使双极区上牺牲层的顶面基本与CMOS区的顶面齐平。最后,跨越CMOS区与双极区沉积具有基本平坦顶面的研磨停止层,适于后续用于提升非本征基极的化学机械研磨(CMP)。 |
申请公布号 |
CN1531752A |
申请公布日期 |
2004.09.22 |
申请号 |
CN02811855.3 |
申请日期 |
2002.06.04 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
戴维·C·阿尔格伦;格雷戈里·G·弗里曼;黄丰毅;亚当·T·蒂克诺 |
分类号 |
H01L21/8249;H01L21/331;H01L27/06 |
主分类号 |
H01L21/8249 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种用于形成与互补金氧半(CMOS)电路集成的、具有提升非本征基极、射极和集极的双极晶体管的方法,该方法包括步骤:(a)提供中间半导体结构,具有双极区和带栅极导体的CMOS区;(b)在双极区内提供具有厚度的本征基极层;(c)跨越CMOS区与双极区形成基极氧化物;(d)在CMOS区与双极区上沉积具有厚度的射极叠层硅层;(e)施加光致抗蚀剂来保护双极区;(f)仅从CMOS区蚀刻去除射极叠层硅层,使双极区上的射极叠层硅层的顶面基本与CMOS区的顶面齐平;以及(g)跨越CMOS区与双极区沉积具有基本平坦顶面的研磨停止层,适于后续的化学机械研磨(CMP)。 |
地址 |
美国纽约州 |