纵型栅极半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋人有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。

主权项

1、一种纵型栅极半导体装置，作为晶体管发挥作用的第一区域、和用于取得与上述晶体管的本体区域电接触的第二区域相互邻接布置，其特征在于：上述第一区域，具有：第一导电型的漏极区域，形成在上述漏极区域上侧的第二导电型的上述本体区域，形成在上述本体区域上侧的第一导电型的第一源极区域，和形成在上述第一源极区域及上述本体区域且埋入有栅极电极的沟渠；上述本体区域延伸于上述第二区域，并且在上述第二区域的上述本体区域上侧形成有与上述第一源极区域电连接的第一导电型的第二源极区域；上述沟渠形成为延伸到上述第一区域和邻接的上述第二区域，且还被设置在上述第二源极区域及上述第二区域的上述本体区域中；上述栅极电极以凹部留在上述沟渠上部的方式形成；上述第二区域的上述本体区域露出于上述凹部的壁面，且在该露出部分中取得上述本体区域与共用电极的电接触。