发明名称 Near-infrared photodetector and image sensor employing the same and manufacturing method thereof
摘要 본 발명은 근적외선 다이폴 안테나를 이용하는 실리콘 광 검출기에 대하여 개시된다. 광 검출기는 반도체 기판 위에 형성된 실리콘 영역, 실리콘 영역을 사이에 두고 암(arm)들이 분리되어 형성되고 입사광을 전기 신호로 생성하는 다이폴 안테나, 그리고 다이폴 안테나의 수직 방향으로 배치되고 실리콘 영역을 사이에 두고 분리되어 형성된 전극들을 포함한다. 전극들에는 임계 바이어스 전압을 인가하여 실리콘 영역에서의 애벌런치 이득 동작을 일으킨다.
申请公布号 KR101660943(B1) 申请公布日期 2016.09.29
申请号 KR20100021832 申请日期 2010.03.11
申请人 삼성전자 주식회사 发明人 박윤동;밀러 다비드 앤드류 바클레이;진영구;조인성
分类号 H01L31/101;H01L27/146 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人
主权项
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