二氧化锡纳米传感器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该发明方法主要采用AFM微细加工技术，控制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对金属锡电极表面进行局部阳极氧化，从而加工得到二氧化锡纳米结构传感器件。本发明方法制得的二氧化锡纳米传感器在常温下对氢气非常敏感，同时具有很好的选择性，可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。

主权项

1.一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，主要采用AFM微细加工技术，在制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对物质表面进行局部阳极氧化，从而加工得到纳米结构和纳米器件，其特征在于，该方法包括以下几个工艺步骤：a.选用硅衬底材料，采用(100)硅片作为硅衬底，清洗该衬底；b.采用热氧化方法在硅片表面制备二氧化硅绝缘层，热氧化工艺为半导体工艺，二氧化硅绝缘层的厚度为10nm到300nm；c.采用蒸发法制备金属锡薄膜，在真空蒸发镀膜机中将纯金属锡蒸发沉积在上述硅衬底上，形成尺寸为100μm×100μm的金属锡电极图形；蒸发镀膜时真空度为10-5Torr以上，金属锡薄膜厚度为小于10nm；d.采用AFM微细加工技术，在AFM的探针尖端与锡薄膜层之间施加电压，在外加电场作用下金属锡被氧化为二氧化锡；同时移动探针进行扫描，可得到纳米氧化锡条形图形即纳米线；e.加工好二氧化锡纳米线后，在锡电极的两端焊接金引线，然后封装成型，制得二氧化锡纳米传感器件。