| 发明名称 |
Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102004039660(B4) |
申请公布日期 |
2008.09.25 |
| 申请号 |
DE200410039660 |
申请日期 |
2004.08.16 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
PARK, JE-MIN |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L27/105;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/02;H01L27/08;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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