| 摘要 |
Halbleiterbauelement (10, 30) mit einem Substrat (14, 34), das eine Substratoberfläche aufweist in die mindestens drei im Wesentlichen parallele Gräben (15, 35) eingebracht sind, wobei jeder Graben (15, 35) mindestens teilweise mit einem isolierenden Material verfüllt ist, sodass das isolierende Material einen ersten Bereich (11, 31) bildet, wobei ein erstes dotiertes Halbleitermaterial innerhalb des ersten Bereichs (11, 31) angeordnet ist und einen zweiten Bereich (12, 32) bildet, und benachbarte zweite Bereiche (12, 32) wechselseitig an einem Ende zweier benachbarter Gräben (15, 35) eine elektrische Verbindung (17) aufweisen, die senkrecht zu den zwei benachbarten Gräben (15, 35) angeordnet ist, sodass die zweiten Bereiche (12, 32) und die elektrische Verbindung (17) eine Mäanderstruktur bilden. |
