X射线探测器、成像装置和校准方法

摘要

本发明涉及一种X射线探测器，所述X射线探测器包括直接转换半导体层(60)，所述直接转换半导体层具有多个像素，所述多个像素用于将入射辐射转换成具有所述半导体层的带隙能量特性的电测量信号，其中，所述入射辐射为由X射线源(2)发射的X射线辐射或者由至少一个光源(30、33)发射的光。另外，评估单元(67)被提供用于根据当来自所述至少一个光源的具有第一强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第一电测量信号以及当来自所述至少一个光源的具有第二强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第二电测量信号来计算每像素或每像素组的评估信号，其中，所述评估单元被配置为检测所述第一电测量信号和所述第二电测量信号中每像素或每像素组的噪声峰值，并且被配置为根据检测到的噪声峰值来确定每像素或每像素组的偏置和增益。探测单元(69)被提供用于根据当X射线辐射入射到所述半导体层上时所生成的电测量信号来确定探测信号，并且校准单元(68)被提供用于基于所述评估信号来校准所述探测单元。

主权项

一种X射线探测器，包括：‑直接转换半导体层(60)，其具有多个像素，所述多个像素用于将入射辐射转换成具有所述半导体层的带隙能量特性的电测量信号，其中，所述入射辐射为由X射线源(2)发射的X射线辐射或由至少一个光源(30、33)发射的光，所述光具有高于所述半导体层的所述带隙能量的能量，以模拟入射的X射线量子，‑评估单元(67)，其用于根据当来自所述至少一个光源的具有第一强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第一电测量信号和当来自所述至少一个光源的具有第二强度的光被耦合到所述半导体层中时每像素或每像素组所生成的第二电测量信号来计算每像素或每像素组的评估信号，其中，所述评估单元被配置为检测所述第一电测量信号和所述第二电测量信号中每像素或每像素组的噪声峰值并且被配置为根据检测到的噪声峰值来确定每像素或每像素组的偏置和增益，‑探测单元(69)，其用于根据当X射线辐射入射到所述半导体层上时所生成的电测量信号来确定探测信号，以及‑校准单元(68)，其用于基于所述评估信号来校准所述探测单元。