| 发明名称 | 制造MEMS装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造MEMS装置的方法。在所描述的实例中，微机电系统MEMS包含附接到半导体装置(602)的微镜装置(604)。第一间隔层(700)经形成且经图案化以形成铰链(622)通孔开口。铰链金属沉积于第一间隔层(700)上方以形成所述铰链(622)及铰链通孔(620)。覆盖层(702)形成于所述铰链金属上方。第二间隔层(704)形成于所述覆盖层(702)上方且经图案化以形成镜通孔(624)。使用显影液清洗所述装置。所述覆盖层(702)保护所述铰链金属不受所述显影液的影响。将所述覆盖层(702)从所述镜通孔(624)开口内移除。另一金属层沉积于所述第二间隔层(704)上方及所述镜通孔(624)内以形成镜(626)。 | ||
| 申请公布号 | CN106044700A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610230215.1 | 申请日期 | 2016.04.13 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 肖恩·克里斯托弗·奥布莱恩 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种制造微机电系统MEMS装置的方法，其包括：将第一间隔层沉积于具有在其中形成电路的衬底上方；在所述第一间隔层内图案化铰链通孔开口；将铰链金属层沉积于所述第一间隔层上方及所述铰链通孔开口内以形成铰链及铰链通孔；将覆盖层沉积于所述铰链金属层上方及所述铰链通孔上方；将第二间隔层沉积于所述覆盖层上方；在所述第二间隔层内图案化镜通孔开口，其中所述覆盖层在所述镜通孔开口的底部处暴露；移除在所述镜通孔开口的所述底部处暴露的所述覆盖层；将镜金属沉积于所述镜通孔开口内及所述第二间隔层上方以形成镜及镜通孔，其中所述镜通孔接触所述铰链金属层；使用氧灰化来移除所述第一间隔层及所述第二间隔层以及所述覆盖层以释放所述铰链及所述镜。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||