一种半导体集成电路及其制造方法

摘要

一种半导体集成电路具有使用第一电源电压的第一电路区域和使用不向于第一电源电压的第二电源电压的第二电路区域。第一电路区域是根据按照第一电源电压的第一设计原则所制造的，及第二电路区域是根据按照第二电源电压的第二设计原则所制造的。

主权项

1.一种用于制造半导体集成电路的方法，该集成电路具有使用第一电源电压的第一电路区域和使用不同于所述第一电源电压的第二电源电压的第二电路区域，其中：一个第一设计原则根据所述第一电源电压而被应用于所述第一电路区域；一个第二设计原则根据所述第二电源电压而被应用于所述第二电路区域；所述第一电路区域的布线间隔被确定为耐受所述第一设计原则的第一击穿电压的最小距离；及所述第二电路区域的布线间隔被确定为耐受所述第二设计原则的第二击穿电压的最小距离。