掺杂型III－V族氮化物材料及由这种材料构成的微电子器件和器件前体结构

摘要

一种包括δ掺杂层(24)和/或掺杂超晶格的III－V族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法，其包括步骤：通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料；终止在基片上沉积半导体材料以给出外延膜表面；在外延膜表面上对半导体材料进行δ掺杂，以在其上形成δ掺杂层；终止δ掺杂；在第二外延膜生长过程中，重新开始半导体材料的沉积以在δ掺杂层上沉积半导体材料；和继续半导体材料的第二外延膜生长过程到预先确定的程度，以形成掺杂的微电子器件结构，其中δ掺杂层(24)内化在第一、第二外延膜生长过程中沉积的半导体材料中。

主权项

1.一种包含δ掺杂层的III-V族氮化物微电子器件结构。