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发明名称 Method for fabricating of semiconductor device
摘要 다층 유전막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 금속 원자 및 실리콘 원자를 포함하는 다층 유전막을 형성하는 단계를 포함하되, 다층 유전막을 형성하는 단계는 포함된 금속 원자 및 실리콘 원자의 개수 합계 중 실리콘 원자의 개수가 가지는 비율인 실리콘 농도가 서로 다른 적어도 2개의 결정질 금속 실리케이트 막을 형성한다.
申请公布号 KR101654027(B1) 申请公布日期 2016.09.06
申请号 KR20100023405 申请日期 2010.03.16
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김기철;이종철;임기빈;여재현
分类号 H01L21/02;H01L27/108;H01L27/115;H01L49/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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