| 发明名称 | 用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法，该用于AlGaN光电器件的多量子阱结构包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。本发明其可以提高多量子阱光电器件的内量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105845796A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610222440.0 | 申请日期 | 2016.04.12 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘雅丽;金鹏;王占国 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构，包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||