发明名称 |
ESD保护电路和半导体器件 |
摘要 |
本发明提供了ESD保护电路和半导体器件。静电放电保护电路具有双极晶体管,其包括:第一导电型的第一扩散层,该第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极;第二导电型的第二扩散层,该第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极;以及第二导电型的第三扩散层,该第二导电型的第三扩散层与输入/输出焊盘相连接并且用作发射极。第三扩散层的与第一扩散层相对的第一区域的面积大于第二扩散层的与第一扩散层相对的第二区域的面积。 |
申请公布号 |
CN101599491A |
申请公布日期 |
2009.12.09 |
申请号 |
CN200910146025.1 |
申请日期 |
2009.06.05 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
高桥幸雄;吉田浩介 |
分类号 |
H01L27/082(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/082(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙志湧;穆德骏 |
主权项 |
1.一种包括双极晶体管的静电放电保护电路,包括:第一导电型的第一扩散层,所述第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极;第二导电型的第二扩散层,所述第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极;以及第二导电型的第三扩散层,所述第二导电型的第三扩散层与输入/输出焊盘相连接并且用作发射极,其中所述第三扩散层的与所述第一扩散层相对的第一区域的面积大于所述第二扩散层的与所述第一扩散层相对的第二区域的面积。 |
地址 |
日本神奈川 |