ＩｎＧａＮを含んでいる活性領域を有している半導体構造、このような半導体構造を形成する方法、及びこのような半導体構造から形成された発光デバイス

摘要

半導体構造は、複数のＩｎＧａＮの層の間に活性領域を含んでいる。活性領域は、ＩｎＧａＮによって少なくとも実質的に構成されることが可能である。複数のＩｎＧａＮの層は、ＩｎｗＧａ１−ｗＮを含んでいる少なくとも１つの井戸層と、少なくとも１つの井戸層に近接しＩｎｂＧａ１−ｂＮを含んでいる少なくとも１つの障壁層とを含んでいる。いくつかの実施形態では、井戸層のＩｎｗＧａ１−ｗＮでのｗの値は、約０．１０以上であってもよく、いくつかの実施形態では０．４０以下であってもよく、そして少なくとも１つの障壁層のＩｎｂＧａ１−ｂＮでのｂの値は、約０．０１以上、且つ約０．１０以下であってもよい。半導体構造を形成する方法は、ＩｎＧａＮのこのような層を成長させて、ＬＥＤなどの発光デバイスの活性領域を形成するステップを含む。発光体デバイスは、このようなＬＥＤを含んでいる。【選択図】 図１１Ａ