半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中N型MISFET及P型MISFET双方的阀值电压低，制造容易，制造成本低，制造成品率高，栅极绝缘膜的可靠性高。在硅基板(1)表面的N型MISFET形成区域(11)及P型MISFET的形成区域(12)中设置栅极绝缘膜(3)，并在其上设置金属栅电极(4)及(5)。金属栅电极(4)由TiCoN膜形成，其功函数定为适用于N型MISFET的栅电极材料的4.0～4.8eV。而金属栅电极(5)是由将氧以10¹³至10¹⁴ (个/cm²)的剂量离子注入到形成金属栅电极(4)的TiCoN膜中，而使功函数高出0.2至0.8eV左右的部分形成的。

主权项

1、一种半导体装置，其中具有绝缘栅极场效应晶体管，其特征在于，上述绝缘栅极场效应晶体管的栅电极是由在金属、合金或金属氮化物膜中添加了氧或氟的材料形成的。