发明名称 高光萃取率的发光二极管、导电膜,及导电膜的制作方法
摘要 本发明主要提供一种高光萃取率的发光二极管,包含一个基板、一个形成在该基板的发光单元、一个形成在该发光单元的导电膜,及两个分别接触连接该导电膜和该发光单元用以自外界提供电能的电极。该导电膜包括一个能导电且透光的膜本体,及一个形成于该膜本体的堆栈结构。该堆栈结构由多个纳米粒子周期性地排列堆栈,且所述纳米粒子其中的多个与该膜本体的组成结构形成多个堆栈物,借该堆栈结构或所述堆栈物,与该发光单元间引发表面电浆共振而大幅提升发光二极管整体的光萃取率。本发明还提供该导电膜的制作方法。
申请公布号 CN105845802A 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201510017716.7 申请日期 2015.01.14
申请人 李德财 发明人 武东星;庄师豪;洪瑞华
分类号 H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/44(2010.01)I
代理机构 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人 张雅军
主权项 一种高光萃取率的发光二极管,包含一个基板、一个设置于该基板上并在提供电能时发光的发光单元,及两个能配合提供电能至该发光单元的电极;其特征在于:该高光萃取率的发光二极管还包含一个导电膜,形成在该发光单元上并包括一个能导电且透光的膜本体,及一个形成于该膜本体并邻近该发光单元的堆栈结构,该堆栈结构由多个纳米粒子周期性地排列堆栈,所述纳米粒子其中的多个与该膜本体的组成结构形成多个堆栈物,该堆栈结构或所述堆栈物能与该发光单元间引发表面电浆共振,所述电极分别接触连接该导电膜和该发光单元。
地址 中国台湾台中市