具高崩溃电压及低逆向漏电流的萧特基二极管及制造方法

摘要

本发明是一种具高崩溃电压及低逆向漏电流的萧特基二极管及制造方法。所述制造方法包含以下步骤：提供一n+重掺杂半导体基板，该半导体基板上具有一n－外延层形成于其上。一第一氧化层形成于n－外延层上。一图案化制程随即图案化第一氧化层以定义护环区域。除去光阻图案层后，沉积一多晶硅层，再进行硼或BF₂⁺的离子布植。进行高温退火活化离子并形成p+区于n－外延层中。一热氧化制程氧化多晶硅层并扩大p+区而形成护环。进行一第二光罩及蚀刻过程，以定义出主动区。一阻障金属层沉积于主动区上并施以金属硅化程序。未反应的金属层移除后，沉积一阳极金属导电层，再施以第三光罩并图案化以定义阳极区域。另以金属导电层形成于基板背面以作为阴极。

主权项

1.一种具高崩溃电压及低逆向漏电流的萧特基二极管的制造方法，至少包含以下步骤：提供一半导体基板，该基板含有一第一导体层及一外延层，该两层具有相同导电型杂质掺杂，且该外延层掺杂浓度低于该第一导体层；形成一第一氧化层于该外延层上；形成一第一光阻图案于该氧化层上以定义护环区域；进行一第一蚀刻制程蚀刻该第一氧化层，以该光阻图案为罩幕；除去该第一光阻图案；形成一多晶硅层于所有裸露的表面；全面进行离子布植，以布植p型杂质于多晶硅层中；施以一退火制程，活化该p型杂质，同时以该多晶硅层为p型杂质的来源向该多晶硅层下的该外延层扩散，以形成p型区域；施以高温氧化制程，用以将该多晶硅层氧化成为第二氧化层，同时使p型区域扩大而形成护环区；形成第二光阻图案于该第二氧化层上，以定义出主动区；施以蚀刻制程，蚀刻该第二氧化层，以该第二光阻图案为罩幕；除去该第二光阻图案；形成一萧特基阻障金属层于所有裸露的表面；进行一退火制程，以使该萧特基阻障金属层与硅反应，因此形成一金属硅化物层；除去未反应的萧特基阻障金属层；形成一顶部金属层于裸露的表面；图案化该顶部金属层以定义阳极区域；施以研磨制程，以研磨该半导体基板背面，至裸露该第一导体层；及形成一金属层于该半导体基板背面以作为阴极。