NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HYBRID GEOMETRY-BASED ACTIVE REGION

摘要

하이브리드 기하 구조 기반의 활성 영역들을 갖는 비평면 반도체 디바이스들이 설명된다. 예를 들어, 반도체 디바이스는 핀-FET 부분 위에 배치되는 오메가-FET 부분 위에 배치되는 나노와이어 부분을 포함하는 하이브리드 채널 영역을 포함한다. 게이트 스택은 하이브리드 채널 영역의 노출된 표면들 상에 배치된다. 게이트 스택은 게이트 유전체 층과, 게이트 유전체 층 상에 배치되는 게이트 전극을 포함한다. 소스 영역 및 드레인 영역은 하이브리드 채널 영역의 양측에 배치된다.