| 摘要 |
본 발명은, 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자 는, 반도체층; 반도체층에 대하여 제1 방향으로 연장되고, 서로 교대하여 배치된 제1 영역들과 제2 영역들을 가지는 측벽을 포함하는 반도체 기둥; 반도체 기둥의 측벽의 제1 영역들 상에 위치하고, 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 연장되고, 양자점과 양자점과 연결된 폴리머층을 가지는 전하 저장층을 각각 포함하는 복수의 스토리지 매체들; 및 반도체 기둥의 측벽의 제2 영역들 상에 위치하고, 제2 방향으로 연장된 복수의 층간 절연층들;을 포함한다. |
