发明名称 |
分离半导体晶片的方法及使用该方法的分离装置 |
摘要 |
关于通过经由具有加热可分离性的双面粘和片将半导体晶片和支持构件互相接合而得到的工件,该支持构件的表面被吸附保持在吸附台上并且被加热,从而使粘合层的粘和强度几乎消失。移动柏努利卡盘接近该半导体晶片的背面以用非接触的方式分离该半导体晶片,并以该半导体晶片悬浮在空气中的状态悬浮保持该半导体晶片。 |
申请公布号 |
CN100466189C |
申请公布日期 |
2009.03.04 |
申请号 |
CN200410083443.8 |
申请日期 |
2004.09.30 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
宮本三郎;長谷幸敏 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01);H01L21/30(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
1、一种用于把通过双面粘合片接合到支持构件的半导体晶片从所述双面粘合片分离的方法,其特征在于,所述方法包括:所述双面粘合片通过将不同粘合层分别形成在片基材的两侧的方式得到,第一步骤,削弱所述双面粘合片的所述粘合层中接合到所述支持构件的粘合层的粘合强度,所述双面粘合片用于将所述半导体晶片和所述支持构件互相结合;及第二步骤,通过在削弱所述粘合层的粘合强度的同时向半导体晶片的面喷射气体,在通过半导体晶片的面上的间隙中产生的压差以非接触的方式悬浮保持所述半导体晶片的同时,分离所述半导体晶片,将粘合层留在支持体上,将片基材和留下的粘合层留在所述半导体晶片上,并将所述片基材用作面保护片。 |
地址 |
日本大阪府 |