发明名称 具有潜在荧光材料的四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物及其制备方法
摘要 本发明公开了具有潜在荧光材料的四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物及其制备方法,其中四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物{[Cd(L)(H<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>](ClO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>·3.5DMF·0.5H<sub>2</sub>O} (1)的结构基元如图1所示。同时还公开了{[Cd(L)(H<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>](ClO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>·3.5DMF·0.5H<sub>2</sub>O} (1) (L=1,1,2,2‑四[4‑(1H‑1,2,4‑三氮唑‑1‑基)苯基]乙烯,DMF=N,N'‑二甲基甲酰胺)的制备方法。它是采用“常温挥发法”,即L和Cd(ClO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>·6H<sub>2</sub>O在CHCl<sub>3</sub>、CH<sub>3</sub>OH、水和DMF的混合溶剂中搅拌半小时后过滤,滤液常温挥发两周后得到适合X‑射线单晶衍射的无色块状晶体。本发明进一步公开了四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物作为潜在的荧光材料方面的应用。
申请公布号 CN104610319B 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201510088200.1 申请日期 2015.02.26
申请人 天津师范大学 发明人 王英
分类号 C07F3/08(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I 主分类号 C07F3/08(2006.01)I
代理机构 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人 朱红星
主权项 四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物单晶用于潜在的荧光材料方面的应用,其特征在于该单晶结构采用APEX II CCD单晶衍射仪,使用经过石墨单色化的Mokα射线,λ= 0.71073 Å为入射辐射,以ω‑2θ扫描方式收集衍射点,经过最小二乘法修正得到晶胞参数,从差值傅立叶电子密度图利用软件解出单晶数据:<img file="dest_path_image002.GIF" wi="451" he="769" /><img file="dest_path_image004.GIF" wi="417" he="203" />所述四苯乙烯四三唑高氯酸镉配合物单晶的分子式:[Cd(L)(H<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>](ClO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>·3.5DMF·0.5H<sub>2</sub>O,L = 1,1,2,2‑四[4‑(1H‑1,2,4‑三氮唑‑1‑基)苯基]乙烯,DMF = N,N'‑二甲基甲酰胺。
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