发明名称 植入产率强化方法
摘要 揭示一种处理工件的方法,其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后,将原料气体引入到所述室中并使其离子化,所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速,其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。
申请公布号 CN105849869A 申请公布日期 2016.08.10
申请号 CN201480071087.X 申请日期 2014.11.06
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 彼得·F·库鲁尼西;具本雄;约翰·A·弗龙梯柔;威廉·T·理葳;克里斯多夫·J·里维特;提摩西·J·米勒;维克拉姆·M·博斯尔;约翰·W·奎夫;尼可拉斯·P·T·贝特曼
分类号 H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 杨贝贝;臧建明
主权项 一种处理工件的方法,其特征在于,包括:将调节气体和调节共同气体引入到离子源的室中,所述调节气体包括含有所要掺杂剂物质的氢化物,其中所述调节共同气体包括惰性气体、4族元素的氢化物或具有所述所要掺杂剂物质的相反导电性的物质的氢化物,其中所述调节共同气体占到所引入的气体的总体积的10%与40%之间;在所述室中使所述调节气体和所述调节共同气体离子化以便在所述室的壁上形成涂层;在形成所述涂层之后更换引入到所述室中的气体并且将原料气体引入到所述室中,所述原料气体包括氟和所述所要掺杂剂物质;在所述室中使所述原料气体离子化以产生离子;以及从所述室提取所述离子并且使所述离子朝所述工件加速,使得所述离子未经质量分析便植入到所述工件中。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号