| 发明名称 |
Verfahren und Systeme zur Dotierstoffaktivierung mithilfe von Mikrowellenbestrahlung |
| 摘要 |
Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Substrat und einen Source-Drain-Übergang (S/D-Übergang). Der S/D-Übergang ist mit dem Substrat verbunden und umfasst ein Halbleitermaterial. Das Halbleitermaterial umfasst Germanium und weist einen prozentualen Anteil an Germanium zwischen etwa 50% und etwa 95% auf. |
| 申请公布号 |
DE102015106397(A1) |
申请公布日期 |
2016.10.20 |
| 申请号 |
DE201510106397 |
申请日期 |
2015.04.26 |
| 申请人 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
发明人 |
Tsai, Chun-Hsiung;Yang, Huai-Tei;Yu, Kuo-Feng;Chen, Kei-Wei |
| 分类号 |
H01L29/30;H01L21/26;H01L29/16;H01L29/36;H01L29/38 |
主分类号 |
H01L29/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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