一种半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括至少一个n‑MOSFET，至少一个p‑BJT，以及至少一个二端元件，这三部分相互之间通过介质隔离或结隔离或分别制作在不同的衬底上；其中，所述二端元件有一个第一端和一个第二端；所述n‑MOSFET的漏极与所述p‑BJT的基极通过导体相联；所述p‑BJT的集电极通过导体与所述二端元件的第一端相联；所述n‑MOSFET的源极通过导体与所述二端元件的第二端相联。本发明具有较高的开关速度和较大的安全工作区，同时在导通时具有较大的电流能力和较低的导通压降；由于采用了MOSFET控制，因此容易驱动。

主权项

一种半导体器件，其特征在于：包括至少一个n‑MOSFET，至少一个p‑BJT，以及至少一个二端元件（W），这三部分相互之间通过介质隔离或结隔离或分别制作在不同的衬底上；其中，所述二端元件（W）有一个第一端（x）和一个第二端（y）；所述n‑MOSFET的漏极（d）与所述p‑BJT的基极（b）通过导体相联；所述p‑BJT的集电极（c）通过导体与所述二端元件（W）的第一端（x）相联；所述n‑MOSFET的源极（s）通过导体与所述二端元件（W）的第二端（y）相联；所述p‑BJT的发射极（e）作为所述半导体器件的第一电极（A），所述n‑MOSFET的源极（s）与所述二端元件（W）的第二端（y）相联作为第二电极（B），所述n‑MOSFET的栅极（g）作为第三电极（C）。