| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée, un dispositif à semi-conducteurs utilisant ce transistor, et un procédé de fabrication correspondant. L'invention vise à s'affranchir du montage de diode en roue libre pour la dérivation du courant de retour. En l'occurrence, on augmente la concentration en impuretés de la couche tampon N+ (12) coopérant avec la couche collecteur P+ (11) pour former une jonction de façon à abaisser la tension de claquage d'une diode parasite (D) formée des couches base N (12, 13) et de la couche collecteur P+ (11). On arrive ainsi à faire baisser la tension de claquage inverse d'un IGBT (101) en dessous d'un plafond correspondant à 5 fois la tension de saturation (V¿CE(sat)?) entre le collecteur et l'émetteur.</p> |
