发明名称 半導体装置の製造方法
摘要 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly-reliable semiconductor device while suppressing manufacturing cost.SOLUTION: Dry etching of an insulating film is performed by using a mixed gas that contains at least CFgas and CHFgas as its components.SELECTED DRAWING: Figure 3(d)
申请公布号 JP2016178222(A) 申请公布日期 2016.10.06
申请号 JP20150058031 申请日期 2015.03.20
申请人 ルネサスエレクトロニクス株式会社 发明人 堀越 孝太郎;塙 利和;赤石 真敏;菊池 祐司
分类号 H01L21/3065;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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