一种择优取向可调谐的氧化亚铜薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种择优取向可调谐的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在室温下，直流反应磁控溅射设备中，以铜靶作为阴极溅射靶，以氩气作为溅射气体，氧气作为反应气体，石英基底作为阳极，在以一定速率自转的石英基底上溅射一定时间得到氧化亚铜薄膜。所述氧气和氩气的工作气压为10^‑2‑10^‑1Pa；所述一段时间为5min；所述一定速率为5r/min；所述一定时间为5‑30min。本发明方法制备的氧化亚铜薄膜具有单一相，择优取向明显，实现了制备氧化亚铜薄膜时(111)轴和(200)轴择优取向的可调谐转换。另外，本发明方法所制备的氧化亚铜薄膜沉积速率高、可控性强、附着性好，性能优异，尤其在异质结太阳能电池、光电器件等领域有潜在的应用价值。

主权项

一种择优取向可调谐的氧化亚薄铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在室温下，采用清洗剂对石英基底进行清洗；步骤二，将铜靶作为阴极溅射靶，所述的石英基底作为阳极共同置于真空室中，向真空室内通入工作气体；步骤三，对所述铜靶进行一段时间的预溅射得到预溅射靶材；步骤四，将所述预溅射靶材通过直流磁控在以一定速率自转的所述石英基底上进行一定时间的溅射获得所述择优取向可调谐的氧化亚铜薄膜；步骤五，将薄膜冷却至室温，得到氧化亚铜薄膜，其中，所述工作气体工作气压为10^‑2～10^‑1Pa；所述一段时间为5min；所述一定速率为5r/min；所述一定时间为5～30min。