| 发明名称 | 一种碳化硅双极结型晶体管 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。 | ||
| 申请公布号 | CN105957886A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610488399.1 | 申请日期 | 2016.06.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 郭飞;申华军;汤益丹;张有润;白云;杨成樾;宋凌云;柏思宇;彭朝阳 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/161(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述双极结型晶体管的发射极台面边缘与基极欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||