| 发明名称 | 用于形成绝缘体上半导体（SOI）体接触器件的方法和设备 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括构图覆盖绝缘体层(12)的半导体层(14)，以产生第一有源区(28)和第二有源区(30)，其中第一有源区具有与第二有源区不同的高度，以及其中至少在半导体器件的沟道区中，至少部分第一有源区具有第一导电类型，并且至少部分第二有源区具有不同于第一导电类型的第二导电类型。该方法进一步包括在至少部分第一有源区和第二有源区上方形成栅结构(26)。该方法进一步包括去除半导体器件的一侧上的部分第二有源区。 | ||
| 申请公布号 | CN101379614A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200780005027.8 | 申请日期 | 2007.01.22 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 莱奥·马修;葛立新;苏里亚·维拉拉加万 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘光明;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：构图覆盖绝缘体层的半导体层，以产生第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区具有与所述第二有源区不同的高度，并且其中至少在所述半导体器件的沟道区中，至少部分所述第一有源区具有第一导电类型，并且至少部分所述第二有源区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；在至少部分所述第一有源区和所述第二有源区上方形成栅结构；以及去除所述半导体器件的一侧上的部分所述第二有源区。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||