| 发明名称 | 薄膜型电子源 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO<SUB>2</SUB>或RuO<SUB>2</SUB>作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101055824A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710097045.5 | 申请日期 | 2007.04.12 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 岩崎富生 |
| 分类号 | H01J1/312(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J9/02(2006.01);H01J31/12(2006.01) | 主分类号 | H01J1/312(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种薄膜型电子源，其特征在于：包括衬底、上述衬底的一个主表面一侧上形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极，上述上部电极是从上述绝缘层侧层积第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||