| 发明名称 | 垂直结型场效应半导体二极管 | ||
| 摘要 | 半导体二极管(320)是二极管连接的垂直柱面体场效应器件，它有作为在垂直柱面体场效应器件的栅(312)和源/漏(309)之间共用连接的一个二极管引接端。对此二极管连接的垂直柱面体场效应器件的形成方法予以公开。 | ||
| 申请公布号 | CN1531756A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN01821925.X | 申请日期 | 2001.10.18 |
| 申请人 | 弗拉姆技术公司 | 发明人 | R·A·梅茨勒 |
| 分类号 | H01L29/861;H01L21/329 | 主分类号 | H01L29/861 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种二极管，它包括：按照二极管构形的一柱面体垂直结型场效应器件(JFED)，它包含，一第一导电类型的基片，它有一底面和包含具有一柱面体侧边和一柱面体顶面的柱面体基座的一顶面，一第二导电类型的环状扩散区，它在柱面体基座的基底处围绕柱面体基座的中心线，以及一在柱面体基座顶面上的第一导电层，它将环状扩散区和柱面体顶面耦连在一起。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||