| 发明名称 | 金属栅电极半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种互补金属氧化物半导体集成电路可以由NMOS晶体管和PMOS晶体管形成，所述这些晶体管具有在半导体衬底之上的高介电常数的栅极电介质材料。金属阻挡层可以形成在栅极电介质上。功函数设定金属层形成在金属阻挡层上，并且覆盖金属层形成在功函数设定金属层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101027770A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200580032440.4 | 申请日期 | 2005.09.16 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·多茨;J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;C·巴恩斯;M·梅茨;S·达塔;R·曹 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 谭祐祥 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：移除模拟的栅电极；在半导体衬底上形成高介电常数的栅极电介质；在所述栅极电介质上形成金属阻挡层；在所述金属阻挡层上形成功函数设定金属层；以及在所述功函数设定金属层上形成覆盖金属层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||