| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，此器件包含具有半导体区(17、18、24、44、45)的半导体元件，该半导体区制作在位于埋置绝缘层(2)上的硅晶片(1)的顶层(4)中。在此方法中，执行通常称为前期工艺的第一系列工艺步骤，其中特别是硅晶片被加热到700℃以上的温度。然后，在顶层中制作延伸范围与埋置的绝缘层相同、且不与pn结相交的沟槽(25)。在用绝缘材料(26、29)已经填充所述沟槽之后，在通常称为后期工艺的第二系列工艺步骤中完成半导体器件，其中，晶片温度不超过400℃。用晶片不被加热到超过500℃的温度的淀积工艺来填充沟槽。以这种方式，能够制作包含具有非常小而浅的半导体区的半导体元件的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100382277C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN00806719.8 | 申请日期 | 2000.12.13 |
| 申请人 | NXP有限公司 | 发明人 | R·德克;H·G·R·马尔斯;C·E·蒂梅林;P·H·L·班肯 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，此器件包含具有半导体区的半导体元件，该半导体区制作在位于埋置绝缘层上的硅晶片单晶顶层中，在此方法中，执行第一系列工艺步骤，其中特别是晶片被加热到700℃以上的温度，该第一系列工艺步骤包括在所述顶层中形成半导体区、pn结及绝缘区和在所述顶层的顶部形成绝缘层或多晶硅层；然后在顶层中制作延伸范围与埋置的绝缘层相同、且不与pn结相交的沟槽，接着用绝缘材料填充此沟槽，然后，最终执行完成半导体器件的第二系列工艺步骤，在第二系列工艺步骤中，晶片温度不超过400℃，而且该第一系列工艺步骤包括利用一个或多个导电的和绝缘的材料层形成金属化和形成包封，其特征是，利用晶片不被加热到500℃以上温度的淀积工艺，用绝缘材料来填充所述的沟槽。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||