| 发明名称 | 磁存储器 | ||
| 摘要 | 在磁存储器(1)中，磁阻效应元件(4)邻近导线(5)布置，用于产生写磁场，并且此外，铁磁体(20)布置为覆盖至少部分导线(5)，并且因此在一个方向定向此铁磁体(20)的磁化状态X。根据本发明，使得有可能使写入过程期间的磁化属性均匀，并且有效地执行写工作。 | ||
| 申请公布号 | CN1905060A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610092412.8 | 申请日期 | 2006.05.26 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 原谷进;麻谷崇史 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器，其特征在于，包括：导线，用于产生写磁场，磁阻效应元件，邻近所述导线布置，以及铁磁体，配置为覆盖至少部分所述导线，并且适于：使它的磁化状态定向在指定方向上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||