非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统

摘要

提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。

主权项

一种非易失性存储器件的编程方法，该非易失性存储器件包括衬底和在与衬底交叉的方向上扩展的多个NAND串，每一个NAND串包括在与衬底交叉的方向上堆叠的至少一个地选择晶体管、多个存储单元和至少一个串选择晶体管，所述至少一个地选择晶体管具有相距衬底的第一高度，所述多个存储单元分别具有相距衬底的第二高度，每个第二高度大于第一高度，所述至少一个串选择晶体管具有相距衬底的第三高度，第三高度大于每个第二高度，每一个NAND串的至少一个地选择晶体管连接到衬底上形成的掺杂区，所述编程方法包括：向被选位线施加第一电压；向未选位线施加第二电压；向被选串选择线施加第三电压；向未选串选择线施加第四电压；以及向多个字线施加编程操作电压，其中，第一到第三电压是正电压，其中，第一电压具有大于0.1V、小于0.5V范围内的电平。