发明名称 |
一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
摘要 |
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,既可以保证像素单元中薄膜晶体管的稳定性,又能够减小栅极驱动电路中薄膜晶体管的尺寸,以实现窄边框设计。该阵列基板包括像素单元和栅极驱动电路;像素单元包括第一薄膜晶体管,栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案;第二薄膜晶体管的有源层为第三金属氧化物图案;其中,第二金属氧化物图案的光学稳定性大于第一金属氧化物图案的光学稳定性,第一金属氧化物图案和第三金属氧化物图案的载流子迁移率大于第二金属氧化物图案的载流子迁移率。用于包括栅极驱动电路和像素单元的阵列基板。 |
申请公布号 |
CN106057826A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610644134.6 |
申请日期 |
2016.08.08 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
杨维;王珂 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,包括像素单元和栅极驱动电路;所述像素单元包括第一薄膜晶体管,所述栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案;所述第二薄膜晶体管的有源层为第三金属氧化物图案;其中,所述第二金属氧化物图案的光学稳定性大于所述第一金属氧化物图案的光学稳定性,所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的载流子迁移率大于所述第二金属氧化物图案的载流子迁移率。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |