发明名称 | 静电电容检测装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种静电电容检测装置,包括配置成M行N列矩阵状的M根个别电源线、N根个别输出线、和设置在这些交点的静电电容检测元件;静电电容检测元件包括信号检测元件和信号放大元件;信号检测元件包括电容检测电极和电容检测电介质膜;信号放大元件由包括栅电极、栅绝缘膜和半导体膜所构成的信号放大用MIS型薄膜半导体装置所构成。这样,可以优良的静电电容检测装置。 | ||
申请公布号 | CN1538143A | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
申请号 | CN200410035310.3 | 申请日期 | 2004.04.15 |
申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫坂光敏;吉田纩幸 |
分类号 | G01B7/28 | 主分类号 | G01B7/28 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 1、一种静电电容检测装置,其通过检测根据与对象物的距离而变化的静电电容,读取该对象物的表面形状,其特征在于,包括配置成M行N列矩阵状的M根个别电源线、N根个别输出线、和设置在该个别电源线与该个别输出线的交点上的静电电容检测元件;该静电电容检测元件包括信号检测元件和信号放大元件;该信号检测元件包括电容检测电极、电容检测电介质膜和基准电容器,该基准电容器由基准电容器第一电极、基准电容器电介质膜和基准电容器第二电极所构成;该信号放大元件由栅电极、栅绝缘膜和半导体膜所构成的信号放大用MIS型薄膜半导体装置来构成。 | ||
地址 | 日本东京 |