| 发明名称 | 活化高能射线束硬化型导电糊、导体电路基片的制造方法及装置以及非接触式ID及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种活化高能射线束硬化型导电糊、使用活化高能射线束硬化型导电糊的导体电路的制造方法及其装置，以及使用活化高能射线束硬化型导电糊的非接触式ID及其制造方法。本发明的活化高能射线束硬化型导电糊，是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的内部应力为5～50MPa。 | ||
| 申请公布号 | CN1211807C | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN01805313.0 | 申请日期 | 2001.02.20 |
| 申请人 | 东洋油墨制造株式会社;东丽工程株式会社 | 发明人 | 鹤田洋明;中村稔;秋田雅典;伊藤釭司;森俊裕 |
| 分类号 | H01B1/20;H05K3/12;G06K19/07 | 主分类号 | H01B1/20 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 熊志诚 |
| 主权项 | 1.一种活化高能射线束硬化型导电糊，它是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，其特征在于，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的内部应力为5～50MPa。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||