发明名称 |
Semiconductor memory with charge trapping memory cells |
摘要 |
<p>In einer Charge-Trapping-Speicherarchitektur für Virtual Ground mit parallel zu den Wortleitungen (2) vorhandenen Querverbindungen (6) und parallel zu den Bitleitungen (4) vorhandenen STI-Isolationen (1) werden zur Einteilung in Slices verbreiterte STI-Isolationen (7) angebracht. Statt dessen können die unter einer Bitleitung vorhandenen Querverbindungen weggelassen sein oder zwei zueinander benachbarte Bitleitungen (41, 42) so beschaltet werden, dass die dazwischen vorhandenen Speichertransistoren nur im Leerbetrieb arbeiten.
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申请公布号 |
EP1498953(A3) |
申请公布日期 |
2007.10.17 |
申请号 |
EP20040013795 |
申请日期 |
2004.06.11 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES FLASH GMBH & CO. KG.;INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
WILLER, JOSEF;LUDWIG, CHRISTOPH;DEPPE, JOACHIM |
分类号 |
H01L21/762;H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/8246;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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